AIXTRON - ANLAGENBAU MIT LIEBE ZUM DETAIL
Mehr als 3.000 Depositionsanlagen hat AIXTRON bis heute an Kunden in aller Welt geliefert, Technologien weiterentwickelt und die Position am Markt damit gefestigt. Seit jeher stellt unsere umfangreiche Expertise und langjährige Erfahrung in der Abscheidung komplexer Halbleitermaterialien die Basis für den Erfolg unserer Kunden dar.
150/200 mm High Throughput Epitaxy for SiC Power Electronics Dual Wafer Size Batch Reactor
Details der Anlage150/200 mm high throughput epitaxy for GaN power & RF applications
Details der AnlageFully Automated MOCVD for High Volume Production of GaAs/InP Materials
Details der AnlageHochmoderner Planetenreaktor steigert Produktivität und Wafer-Leistung
Details der AnlageMOCVD-Anlage für F&E und Kleinserienfertigung
Details der AnlageDie beste Anlage für die Massenproduktion von GaAs/InP-basierten Optoelektronik- und RF-Anwendungen
Details der AnlageSiC VPE-Reaktor verbindet die Leistungsfähigkeit einer Einzelwafer-Anlage mit den Kostenvorteilen eines Mehrscheibenreaktors
Details der AnlageProdukte
Managing Director
Senior Produkt Manager
Vice President Silicon Carbide
Alan Tai
Taiwan/Singapore
Christof Sommerhalter
USA
Christian Geng
Europe
Hisatoshi Hagiwara
Japan
Nam Kyu Lee
South Korea
Wei (William) Song
China
AIXTRON SE (Headquarters)
AIXTRON 24/7 Technical Support Line
AIXTRON Europe
AIXTRON Ltd (UK)
AIXTRON K.K. (Japan)
AIXTRON Korea Co., Ltd.
AIXTRON Taiwan Co., Ltd. (Main Office)
AIXTRON Inc. (USA)
Laura Preinich
Recruiter
Tom Lankes
Talent Acquisition Expert - Ausbildungsleitung
Christoph Pütz
Senior Manager ESG & Sustainability
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
Ralf Penner
Senior IR Manager
Prof. Dr. Michael Heuken
Vice President Advanced Technologies
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
