Halbleiter-Bauelemente bestehen aus mehreren Schichten verschiedener Materialen. Abscheiden ist der Fachbegriff für das Aufbringen dieser Schichten auf einen Wafer (z.B. via MOCVD Verfahren). Dazu werden die erhitzten Wafer z.B. unterschiedlichen Gasen ausgesetzt. Die Gase reagieren ggf. in der Reaktorkammer und lagern sich dann auf dem Wafer ab.
Das deutsche Aktiengesetz (AktG) regelt die Errichtung, die Verfassung, Rechnungslegung und Liquidation sowie die Hauptversammlung von Aktiengesellschaften und Kommanditgesellschaften auf Aktien.
Die Atomlagenabscheidung (engl. „Atomic Layer Deposition“, kurz ALD) ist ein Verfahren zur Herstellung hauchdünner Schichten. Die einzelnen Schichten können nur eine Atomlage dünn sein. Um dies zu erreichen werden zwei gasförmige Ausgangsmaterialien abwechselnd in den Reaktor eingeleitet. Der Prozess wird so gesteuert das sich selbstbegrenzend immer nur genau eine jeweilige Atomlage ausbildet.
Die Allgemeinbeleuchtung ist die einheitliche und gleichmäßige Ausleuchtung eines Raums. In diesem Zusammenhang wird auch der Begriff „Solid State Lighting" (Festkörperbeleuchtung) verwendet: So werden auch alle Leuchtkomponenten, die auf Halbleiterbasis arbeiten, bezeichnet. Hierzu gehören u.a. LEDs und OLEDs.
Die Atomare Gasphasenabscheidung (engl. „Atomic Vapor Deposition“, kurz ALD) ist ein Herstellungsverfahren zur Abscheidung atomar dünner Schichten aus der Gasphase ähnlich der ALD.
Siehe Hintergrundbeleuchtung
Hierbei handelt es sich um ein abgeschlossenes Bauteil einer elektrischen Schaltung. Es kann sich dabei um ein einzelnes, diskretes Bauelement handeln, beispielsweise einen Transistor oder eine LED. Es kann auch eine komplette elektrische Schaltung gemeint sein, beispielsweise ein Chip.
Ein Halbleiter-Bauelement auf dem Wafer muss elektrisch kontaktierbar sein, um mit seiner Außenwelt zu interagieren, z.B. Spannung anlegen oder auch Daten austauschen. Dazu wird das Bauelement auf dem Wafer z.B. über dünne, weiche Golddrähte mit den Chip-Gehäuse-Kontakten verbunden. Diesen Prozess nennt man Bonden.
Mit Charakterisierung sind verschiedene Messverfahren gemeint, die Halbleitermaterialien oder elektrische Bauelemente auf ihre physikalischen Eigenschaften testen. Dadurch lässt sich die Qualität der Halbleiterkristalle bzw. Bauelemente prüfen.
Hierbei handelt es sich um ein Halbleiter-Bauelement, das in ein Gehäuse eingebaut ist. Aus dem Gehäuse ragen elektrische Kontakte (Pins) heraus, mit denen die integrierte Schaltung im Inneren kontaktiert werden kann. Chips sind typischerweise in der Form einer dünnen Platte erhältlich.
Bei dieser Technologie werden die prozessrelevanten Gase durch eine Art Duschkopf (Showerhead) in den Reaktor eingelassen. Während des Beschichtungsprozesses ist der Abstand zwischen dem Showerhead und den Substraten sehr klein (Close Coupled). Mit dem Duschkopf werden Gase durch viele schmale Röhrchen zu einem Substrat geleitet. Dabei fließen durch die Röhrchen jeweils unterschiedliche Gase, deren Komponenten auf der Oberfläche des Substrats abgeschieden werden. Durch die geschickte Verteilung der Röhrchen entsteht ein gleichmäßiger Gasstrom und somit auch eine homogene Abscheidung auf der Oberfläche. Gleichmäßige Schichtdicken sind z.B. für Laser-Dioden und LED wichtig, damit diese in der richtigen Farbe leuchten.
Mehr Informationen unter: Showerhead Prinzip
Ein System, das mehr als ein Prozessmodul enthält. Dies ist besonders nützlich, wenn eine Reihe von Prozessen in Serie erfolgen soll. Ein Beispiel hierfür ist die Abscheidung eines vielschichtigen Metallfilms, bei dem jede Schicht in einem unterschiedlichen Modul (Kammer) abgeschieden wird. Cluster Tools sorgen für Kosten- und Raumersparnisse, auch wenn alle Prozessmodule identisch sind.
Bei der Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Technologie handelt es sich um eine der wichtigsten integrierten Schaltkreisfamilien. Die Schaltung besteht aus zwei komplementären MOS-Transistoren (n-Kanal und p-Kanal Feldeffekttransistoren), die zusammen einen Inverter bilden, da der n-Kanal Transistor (NMOS) bei hoher Eingangsspannung leitend wird, während der p-Kanal Transistor (PMOS) sperrend wird. Bei niedriger Eingangsspannung verhalten sie sich entgegengesetzt. Die Transistoren sind so verschaltet, sodass die Ausgangsspannung die invertierte die Eingangsspannung ist. Da immer ein Transistor sperrt, fließt im statischen Fall kein Strom durch die Transistoren. Somit ist die CMOS-Technologie deutlich energiesparender als andere digitale Schaltungstechnologien. Der Großteil digitaler Logikschaltungen basiert auf der CMOS- Technologie. Mittels CMOS-Technik lassen sich unter anderem Logikspeicher, Oszillatoren oder analoge Verstärker für z.B. Bildsensoren in Kameras realisieren.
Compliance (auch Regelkonformität) steht für die Einhaltung von Gesetzen und Richtlinien in Unternehmen, aber auch von freiwilligen Kodizes. Die Gesamtheit der Grundsätze, Prozesse und Maßnahmen eines Unternehmens, zur Einhaltung bestimmter Regeln und damit zur Vermeidung von Regelverstößen in einem Unternehmen, wird als Compliance Management System bezeichnet und ist ein Teilbereich des Corporate Governance Systems.
Corporate Governance (deutsch: Grundsätze der Unternehmensführung) bezeichnet den Ordnungsrahmen für die Leitung und Überwachung von Unternehmen. Gute Corporate Governance gewährleistet verantwortliche, qualifizierte, transparente und auf den langfristigen Erfolg ausgerichtete Führung und soll so der Organisation selbst, ihren Eigentümern, und allen weiteren Interessengruppen dienen. Corporate Governance ist dabei sehr vielschichtig und umfasst obligatorische und freiwillige Maßnahmen: das Einhalten von Gesetzen und Regelwerken (siehe Compliance), das Befolgen anerkannter Standards und Empfehlungen sowie das Entwickeln und Befolgen eigener Unternehmensleitlinien.
Mit der chemischen Gasphasenabscheidung (engl. „Chemical Vapor Deposition“, kurz CVD) werden Schichten aus der Gasphase auf einem Substrat abgeschieden. Dabei wird ein Wafer einem Gasgemisch ausgesetzt und erhitzt. Das Gasgemisch reagiert chemisch und Komponenten davon können sich an der Substratoberfläche ablagern. Von der CVD gibt es viele Spezialformen, die dieses Prinzip abwandeln und für unterschiedliche Materialien geeignet sind (siehe MOCVD oder PECVD).
Ein anderes Wort für Abscheiden (siehe oben).
Ein Verbindungshalbleiter, der eingehendes Licht jeder Wellenlänge in elektrische Energie umwandeln kann. Detektoren werden für optische Kommunikationssysteme benötigt.
Auf einem fertig prozessierten Halbleiterwafer befinden sich in der Regel mehrere Bauelemente, z.B. eine integrierte Schaltungen (IC). Darum wird der Wafer zerschnitten. Ein Die ist ein rechteckiges Plättchen Halbleiter mit nur einem Bauelement oder IC. Das vereinzelte Bauelement (Die) wird anschließend mittels Bonding mit dem Chipgehäuse kontaktiert.
Hierbei handelt es sich um einen elektrischen Isolator, der eine höhere Dielektizitätszahl (k) als Siliziumdioxid besitzt. D.h. ein Plattenkondensator gleicher Abmessungen hätte eine höhere Kapazität und könnte mehr Energie speichern. Klassisch wurde für siliziumbasierte MOS-Transistoren Siliziumdioxid als Isolator verwendet. Aufgrund der fortschreitenden Miniaturisierung ist die geringe Dielektrizitätszahl von Siliziumdioxid bei dünnen Isolierschichten unzureichend.
Dioden sind Bauelemente, die im Prinzip Stromfluss nur in eine Richtung zulassen. Abgesehen von ihrer gleichrichtenden Wirkung können Halbleiterdioden u.a. als Leuchtdioden (LED) oder Photodioden verwendet werden.
Ein Display ist eine optische Anzeige zur Darstellung von Informationen (z.B. Bilder auf dem Smartphone). Displays finden in vielfältigen Produkten der Industrie- und Unterhaltungselektronik ihren Platz, z.B. als Monitore in Digitalkameras, Handys oder Navigationsgeräten sowie in Flachbildfernsehern.
Beim Dynamic Random Access Memory (DRAM) handelt es sich um einen flüchtigen Datenspeicher. Meist besteht er aus einem Kondensator und Transistoren. Auf die im DRAM gespeicherten Daten kann schneller zugegriffen werden als auf Daten einer Festplatte. Allerdings gehen die im DRAM gespeicherten Daten bei Abschaltung verloren, sofern sie nicht vorher auf die Festplatte kopiert wurden.
Elektronisches Papier (engl. Kurz „e-paper", „E-Paper" oder „ePaper" genannt) hat das Ziel, Drucksachen elektronisch nachzuempfinden. Sogenannte E-Book Reader (EBR) nutzen Anzeigen (Displays), die das Licht wie normales Papier reflektieren. Digital verfügbare Informationen wie etwa Texte oder Bilder werden dauerhaft angezeigt, ohne dass dafür Energie erforderlich ist. Auf Anforderung kann die Anzeige jedoch zu einem beliebigen Zeitpunkt geändert werden, wofür ein geringer Energieaufwand notwendig ist. Einige Fertigungstechniken erlauben es, elektronische Papierdisplays, ähnlich biegsam wie normales Papier, herzustellen.
Die Fertigung und der Test der Chips, nachdem der Wafer den Reinraum verlassen hat. Dieser Begriff wird auch in Wafer-Fabs benutzt, um sämtliche Schritte zu bezeichnen, die im Zusammenhang mit der Verbindung zum Front-End-Transistor stehen.
Mit Epitaxie wird das geordnete Kristall-Wachstum auf einem Substrat bezeichnet. In der Halbleitertechnik ist mit Epitaxie vor allem das Abscheiden kristalliner Halbleiterschichten auf einem geeigneten, kristallinen Substrat (z.B. Silizium-Wafer) gemeint. Epitaxie wird insbesondere benötigt, wenn ein Halbleitermaterial auf ein anderes Halbleitermaterial abgeschieden werden soll.
Der ferroelektrische Arbeitsspeicher (engl. „Ferroelectric Random Access Memory") ist ein nichtflüchtiger Computer-Speicherchip. In seinem Aufbau ähnelt er dem DRAM, der zurzeit in den meisten Hauptspeichern in Computern eingesetzt wird. Der FeRAM basiert auf einer ferroelektrischen Schicht, deren Speicherzustand auch nach Abschalten der Stromversorgung erhalten bleibt. Gleichzeitig erlaubt er Arbeitsgeschwindigkeiten, die nahe an denen von DRAMs liegen.
Hierbei handelt es sich um einen nichtflüchtigen Computerspeicher. Flash-Speicher zeichnen sich dadurch aus, dass sie elektrisch gelöscht und neu programmiert werden können. Flash-Speicher basieren auf MOS-Feldeffekttransistoren. Die Daten eines Flash-Speicher-Bauelements bleiben auch nach Unterbrechung der Stromversorgung erhalten.
Die Waferträger in den MOCVD-Anlagen von AIXTRON drehen sich berührungslos auf Gaskissen und werden über gezielte Gasströmungen angetrieben.
Ein hermetisch abgedichtetes Gehäuse mit armlangen Handschuhen, die der Bediener nutzen kann, um von außen Arbeiten in diesem Gehäuse auszuführen. Diese Gehäuse schützen den geöffneten Reaktor vor Verschmutzung mit Sauerstoff oder Luftfeuchtigkeit und stellen somit u.a. die Reinheit im Epitaxieprozess sicher.
Bei Halbleitern wie Silizium handelt es sich um Materialien, die schlechter elektrisch leiten als Metalle, aber besser leiten als Isolatoren. Halbleiter können ihre Außenelektronen bei zunehmender Temperatur weniger stark an ihre Atomrümpfe binden. Thermisch angeregte, freie Außenelektronen verhalten sich ähnlich einem Elektronengas bei Metallen und erhöhen somit die Leitfähigkeit (Heißleiter). Bei sehr kalten Temperaturen verhalten sich Halbleiter eher wie Isolatoren, da praktisch alle Außenelektronen im gebundenen Zustand sind. Der energetische Abstand zwischen gebundenem und freiem Zustand, wird als Bandlücke bezeichnet. Die gebundenen Außenelektronen können auch mit Licht-Absorption zu freien Außenelektronen angeregt werden oder unter Abgabe von Licht vom freien in den gebundenen Zustand zurückkehren.
Halbleiter werden oft in Kristallstruktur hergestellt. Stört man diese Kristallstruktur gezielt durch Fremdatome (Dotieren), werden die elektrischen Eigenschaften beeinflusst.
Durch ihre besonderen Eigenschaften, können Halbleiter für eine Vielzahl von elektrischen und optischen Bauelementen verwendet werden: Photodioden, Sensoren, Transistoren, usw.
Das Handelsgesetzbuch (HGB) enthält den Kern des Handelsrechts in Deutschland.
Der Heteroübergangs-Bipolar-Transistor (HBT) besteht aus Halbleitern mit unterschiedlich großen Bandlücken. Durch das Ausnutzen der unterschiedlichen Bandlücken kann der HBT so gebaut werden (höhere Basis-Dotierung), dass er schneller schaltet als ein herkömmlicher Bipolar-Transistor. Mit HBT können beispielsweise hohe Datenraten im Mobilfunknetz erreicht werden.
Beim MOCVD-Verfahren zur Herstellung von Verbindungshalbleitern werden die Ausgangsstoffe, wie Gase, innerhalb des Reaktors auf die Wafer aufgebracht. Damit Kristalle aufwachsen, müssen die Wafer erhitzt werden. Dies geschieht normalerweise mit Lampen oder Heizungssystemen, die auf Hochfrequenz-Induktion beruhen.
Der High Electron Mobility Transistor (HEMT) ist ein Feldeffekt-Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit. Dies wird durch die Verwendung von Halbleiterschichten mit unterschiedlichen Bandlücken realisiert. An der Grenzfläche zwischen den Halbleitern entsteht ein zweidimensionales Elektronengas mit hoher Elektronenbeweglichkeit. Der HEMT ist u.a. für Hochfrequenzanwendungen geeignet.
Die Komponenten zur Beleuchtung von LCD werden als Hintergrundbeleuchtung bezeichnet. Zur Hintergrundbeleuchtung werden meist LED eingesetzt, da hier ihre Vorzüge – lange Lebensdauer, Effizienz, Robustheit und kleine Abmessungen – besonders vorteilhaft sind. Ein typisches Anwendungsbeispiel sind Bildschirme für mobile Kleingeräte wie Mobiltelefone oder Navigationsgeräte.
Die Hydridgasphasenepitaxie (engl. „Hydride Vapor Phase Epitaxy“, kurz HVPE) dient hauptsächlich zur Abscheidung von III–V-Verbindungshalbleitermaterialien. Dabei werden Gruppe-III-Chloride (z.B. Galliumchlorid) und Gruppe-V-Hydride (z.B. Phosphine) gasförmig in den Reaktor geleitet. Dort reagieren die Gruppe-III und Gruppe-V-Komponenten zu einer III-V-Verbindung (Galliumphosphid).
Mit integrierter Schaltkreis (engl. „Integrated Circuit“, kurz IC) oder auch Festkörperschaltkreis ist eine elektronische Schaltung auf einem Halbleiter-Plättchen (Die) gemeint. Dieser Schaltkreis beinhaltet in der Regel mehrere Transistoren und andere Bauelemente, die bereits miteinander verschaltet sind. Ein Vorteil integrierter Schaltkreise ist, dass gleiche Halbleiterbauelemente nahezu identisch sind, da sie gleichzeitig auf einem Wafer hergestellt wurden. Wenn man z.B. Transistorschaltungen aus diskreten Bauelementen erstellt, können die Bauelemente innerhalb größerer Toleranzen voneinander abweichen und die Schaltung negativ beeinflussen. Integrierte Schaltkreise sind mittels Bonddrähten mit den Pins des Chipgehäuses verbunden, damit sie von außen kontaktiert werden können.
Ist Teil einer Normenreihe, die die Grundsätze für Maßnahmen zum Qualitätsmanagement eines Unternehmens dokumentiert. Diese Norm beschreibt modellhaft das gesamte Qualitätsmanagementsystem und ist die Basis für umfassende QM-Arbeit.
Ein Isolator (oft synonym mit Nichtleiter oder Dielektrikum) ist ein Material mit extrem geringer Leitfähigkeit, sodass praktisch kein Strom durch den Isolator fließen kann.
Der Kapitalmarkt ist ein Teil des Finanzmarkts und besteht aus der Gesamtheit aller Institutionen und Transaktionen, die der Zusammenführung von Angebot und Nachfrage nach langfristigem (Finanz-)Kapital dienen.
Kohlenstoff-Nanoröhren, auch CNT genannt (engl. „Carbon Nanotubes"), sind mikroskopisch kleine röhrenförmige Gebilde (molekulare Nanoröhren) aus Kohlenstoff. Je nach Detail der Struktur ist die elektrische Leitfähigkeit innerhalb der Röhre metallisch oder halbleitend. Es wurden bereits Transistoren und einfache Schaltungen mit halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhren hergestellt.
Kondensatoren© speichern elektrische Energie. Der einfachste Fall ist der Plattenkondensator, der aus zwei Metallplatten und einem Isolator zwischen den Platten besteht. Legt man eine elektrische Spannung an, wird der Kondensator aufgeladen und kann z.B. über einen Widerstand entladen werden. Kondensatoren finden u.a. in Datenspeichern (z.B. DRAM) Anwendung.
Mit Flüssigkristallanzeigen (engl. „Liquid Crystal Display“, kurz LCD) lassen sich elektrisch gespeicherte Informationen darstellen. Ein bekanntes Beispiel sind LCD-Fernseher. Mit elektrischer Spannung lässt sich die Transparenz der Flüssigkristalle beeinflussen, sodass nur ein Teil des von der Hintergrundbeleuchtung (z.B. LED) erzeugten Lichtes zum Auge des Betrachters gelangt. LCD sind in der Regel flach und stromsparend.
Leiter im Allgemeinen sind Medien, durch die Teilchen oder Energie transportiert werden kann.
Elektrische Leiter im Speziellen sind Materialien mit hoher elektrischer Leitfähigkeit. Besonders Metalle (Kupfer, Silber, Gold) zählen in diese Gruppe, aber auch Graphit und Graphen sind elektrisch leitend.
Ein Beispiel für optische Leiter sind Glasfaserkabel, die Daten in Form von Lichtsignalen über große Distanzen transportieren.
Eine Leuchtdiode (engl. „Light Emitting Diode“, kurz LED) ist eine pn-Diode, die in Durchlassrichtung (Vorwärts) betrieben, Licht ausstrahlt.
Wenn Außenelektronen eines Halbleiters angeregt werden, hinterlassen sie ein sogenanntes Loch. Mittels Einbringung von Fremdatomen (Dotierung) können Halbleiter manipuliert werden. Dabei entstehen im Halbleiter Gebiete mit vielen Löchern (p-Dotierung) und Gebiete mit vielen freien Elektronen (n-Dotierung). In LED gibt es einen pn-Übergang, in dem bei Vorwärtsspannung die Löcher und Elektronen aufeinander treffen. Besetzt ein freies Elektron ein Loch (Rekombination) wird Energie frei. Viele Halbleiter, vor allem Verbindungshalbleiter, leuchten bei der Rekombination von Löchern und Elektronen.
Lichtsender – zum Beispiel ein Laser oder LED – wandeln elektrische Energie in Licht um. Lichtsender senden z.B. Lichtsignale für die Datenübertragung über Glasfaserkabel aus. Das Gegenstück von einem Lichtsender ist ein Lichtempfänger(Detektor), der u.a. am Ende einer Glasfaser für die Kommunikationstechnik verwendet wird.
Ein Chip, der hauptsächlich logische und mathematische Operationen ausführt. Der Prozessor in einem Computer ist beispielsweise ein Logikchip und somit wichtiges elektronisches Bauteil.
Die Flüssigphasenepitaxie (engl. „Liquid Phase Expitaxy“, kurz LPE) ist ein relativ einfaches Abscheidungsverfahren für Halbleiter. Die aufzubringenden Halbleiter werden mit einem Lösungsmittel bei hohen Temperaturen verflüssigt. Dann wird der Wafer in dieser Flüssigkeit eingebracht. Durch Abkühlung der Schmelze erfolgt Übersättigung und eine Schicht wird auf dem Substrat abgeschieden. Mit LPE kann man sehr schnell sehr dicke Schichten produzieren, aber die Schichten lassen sich nicht fein kontrollieren. Deshalb wird das Verfahren in der Regel nur für einfache LED genutzt.
Die Molekularstrahlepitaxie (engl. „Molecular Beam Epitaxy“, kurz MBE) ist eine Abscheidemethode zur Herstellung dünner Halbleiter-Schichten, die vor allem in der Verbindungshalbleiterindustrie Anwendung findet. Die Ausgangsmaterialien befinden sich in Gefäßen innerhalb des Reaktors und werden dann im (Ultrahoch-)Vakuum verdampft. Der Molekularstrahl wird dann auf dem Substrat abgeschieden. Mit MBE lassen sich feinere und reinere Schichten abscheiden als mit LPE. Das MBE-Verfahren ist teuer und anspruchsvoll und daher für die Massenproduktion weniger geeignet.
Tausend Mikrometer sind ein Millimeter. Ein Menschenhaar ist ungefähr 100 Mikrometer dick.
Eine Metall-Isolator-Metall-Diode entsteht, indem ein dünner Isolator von zwei Metallschichten umgeben wird. Wird eine Spannung auf die beiden Metallschichten ausgeübt, werden Elektronen induziert, die quantenmechanisch von einem Metall zum anderen durch den Isolator tunneln. Damit dies bei geringer Spannung geschieht (1 Volt und weniger), muss der Isolator sehr dünn sein, in der Regel weniger als 50 Angstrom.
Die Metallorganische Gasphasenabscheidung (engl. „Metal Organic Chemical Vapor Phase Deposition“, kurz MOCVD) ist ein Herstellungsverfahren zur Abscheidung dünner Verbindungshalbleiterschichten. Bei dieser Produktionsmethode werden metallorganische Verbindungen (z.B. Trimethylaluminium) mit Hilfe eines Trägergases in den Reaktor eingeleitet. Im Reaktor reagieren die MO-Gase chemisch mit den Gruppe-V-Hydriden (z.B. Phosphin). Die entstehenden Verbindungshalbleiter werden auf dem Substrat abgeschieden. Mit MOCVD lassen sich dünne Schichten wie bei der MBE herstellen, wobei MOCVD gegenüber MBE u.a. die Vorteile hat, dass MOCVD kein Ultrahochvakuum benötigt und die Gase einfacher dosiert werden können. AIXTRON ist einer der führenden Anbieter dieser Technologie.
Mehr Informationen unter: MOCVD
Hierbei handelt es sich um eine der häufigsten Bauformen des Flash-Speichers. NAND steht für das gleichnamige logische Gatter (NOT-AND). Diese Technologie wird vorrangig für Speicherkarten verwendet. Flash-Speicher zeichnen sich dadurch aus, dass sie elektrisch gelöscht und neu programmiert werden können. Die Daten eines Flash-Speicher-Bauelements bleiben auch nach Unterbrechung der Stromversorgung erhalten.
Ein Nanometer (nm) entspricht einem Milliardstel Meter und ist ungefähr 70.000 Mal dünner als ein menschliches Haar.
Nanotechnologie bezeichnet im Allgemeinen die Manipulation von Materie im Bereich von 1 bis 100 nm (Nanometer). Auf dieser Skala werden quantenmechanische Effekte vorrangig, die in der klassischen Physik vernachlässigbar sind. Nanotechnologie findet in vielen Bereichen, wie der Medizin, Textil- oder Halbleiterindustrie Anwendung und ist Fokus vieler Forscher. Bekanntere Beispiele für Nanotechnologie wären 2D-Materialien wie Graphen, der Lotuseffekt oder Quantentopf-LED.
Die NASDAQ (engl. „National Association of Securities Dealers Automated Quotations") ist eine 1971 als vollelektronische Plattform gegründete Börse. Den Wertpapierhandel an der NASDAQ kontrolliert die United States Securities and Exchange Commission (SEC).
Bei nichtflüchtigen Speichern bleiben die gespeicherten Daten auch nach Abschalten der Stromversorgung erhalten. Das Gegenteil hiervon sind flüchtige Speicher, wie zum Beispiel DRAM-Speicher, bei denen die Informationen verloren gehen, wenn der Chip nicht mit Strom versorgt wird. Beispiele für nichtflüchtige Speicher sind die Blu-Ray-Disk oder ein SSD-Festplattenspeicher.
Die organische Leuchtdiode (OLED, engl. „Organic Light Emitting Diode"), ist ein dünnfilmiges Bauelement, das in der Regel aus einer Reihe organischer, dünner Schichten zwischen zwei dünnschichtigen, leitfähigen Elektroden besteht. Die Auswahl der organischen Materialien und die Schichtstruktur bestimmen die Leistungsmerkmale des Bauelements: ausgestrahlte Farbe, Lebensdauer und Energieeffizienz.
Die organische Gasphasenabscheidung (engl. „Organic Vapor Phase Deposition®") ist eine Technologie für die Dünnschichtabscheidung von kleinmolekularen, organischen Materialien. Sie macht sich die Vorteile der Gasphasenabscheidung zu Nutze, bei der die Materialien durch ein inaktives Trägergas auf das Substrat aufgebracht werden
Der Phase-Change Random Access Memory (kurz PCRAM) ist ein nichtflüchtiger Speicher. Dabei kommt ein sogenanntes Phasenwechselmaterial (engl. „Phase-Change“) zum Einsatz. Wird dieses Material mit einem geringen Strom über längere Zeit geheizt, geht das Phasenwechselmaterial in eine kristalline Molekülstruktur über. In kristalliner Form hat es einen relativ geringen ohmschen Widerstand. Wird das Material mit einem hohen, kurzen Strompuls geheizt, kann sich nur eine amorphe (ungeordnete) Struktur ausbilden, die elektrisch deutlich schlechter leitend ist. Um den Speicher auszulesen, muss der Widerstand durch Anlegen einer Spannung gemessen werden.
Die Plasma-unterstützte-CVD (engl. „Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition“, kurz PECVD) ist ein Abscheidungsprozess, bei dem ein Plasma die Reaktionsgase aufbricht. Komponenten der aufgespaltenen Gasteilchen können sich dann auf dem Substrat ablagern und dort chemisch reagieren. Bei üblichen CVD Prozessen geschieht das Aufbrechen der Reaktionsgase über eine hohe Temperatur.
Mehr Informationen finden Sie hier: PE-Schowerhead-Prinzip
Alle chemischen Elemente (z.B. Wasserstoff oder Eisen) werden im sogenannten Periodensystem aufgelistet. Die Elemente werden nach ihrer Kernladung (Ordnungszahl) sortiert und entsprechend ihrer chemischen Eigenschaften in Gruppen eingeteilt (z.B. Metalle). Gallium ist in der III. Hauptgruppe, Stickstoff in der V. Hauptgruppe, daher nennt man beispielsweise den Verbindungshalbleiter Galliumnitrid (GaN) einen III-V-Halbleiter. Der Halbleiter Silizium befindet sich in der IV. Hauptgruppe.
Der Planetenreaktor (engl. „Planetary Reactor®“) verwendet mehrere Techniken, um homogene (gleichförmige) Schichten zu garantieren. Die Reaktionsgase werden separat in den Reaktor geleitet. Im Reaktor herrscht ein laminarer (turbulenzfreier), radialer Gasstrom von der Mitte des Reaktors, über die Wafer bis zu der Reaktorwand. Weiterhin werden die Planetenrotations-Methode und die sogenannte Gas Foil Rotation® verwendet, durch die die Reaktionsgase gleichmäßig auf den Wafern abgeschieden werden. Mit dem Planetary Reactor® lassen sich scharfe Schichtübergänge und homogene Schichten herstellen.
Weitere Informationen finden Sie hier: Planeten-Prinzip
Mit Planetenrotation ist eine spezielle Anordnung der Wafer innerhalb eines Planetenreaktors gemeint. Die sogenannten Satelliten (Waferträger) sind auf dem Suszeptor um den zentralen Gaseinlass verteilt. Die Satelliten rotieren bei Betrieb um den Gaseinlass und mittels Gas Foil Rotation® auch um ihre eigene Achse. Somit ähneln die Bewegungen der Satelliten Planetenbahnen um die Sonne.
Der Prime Standard ist, als Teilbereich des regulierten Markts mit weiteren Zulassungspflichten, neben dem General Standard das privatrechtlich organisierte, gesetzlich regulierte Börsensegment der Frankfurter Wertpapierbörse mit den höchsten Transparenzstandards und gleichzeitig die Voraussetzung für eine Aufnahme in die Indizes DAX®, MDAX® TecDAX® und SDAX®.
Die polymere Gasphasenabscheidung (engl. „Polymer Vapor Phase Deposition“, kurz PVPD) ist ein Verfahren zur Abscheidung von Polymeren aus der Gasphase. Dieses Verfahren kommt u.a. in der Herstellung von elektronischem Papier zum Einsatz.
Reinräume sind Staub- und Partikelfreie Räume. In einer Halbleiterfabrik findet in Reinräumen die gesamte Waferfertigung statt. Wenn z.B. bei der Epitaxie Partikel auf dem Wafer abgeschieden werden, ist die Funktionsfähigkeit des Bauteils gefährdet. In Reinräumen werden Partikel aus der Luft gefiltert und Turbulenzen im Luftstrom vermieden. Die Mitarbeiter müssen spezielle Reinraum-Anzüge (Overalls) über ihrer Straßenkleidung sowie Handschuhe und Gesichtsmasken tragen. Je nach Partikelgröße und –anzahl werden verschiedene Reinraumklassen (ISO-Klassen) definiert.
Die Identifizierung mit Hilfe elektromagnetischer Wellen (engl. „Radio-Frequency-IDentification“, kurz RFID) dient zum Erkennen und Orten von Objekten. Hauptbestandteil des RFID-Chips ist ein Transponder, der elektromagnetische Wellen empfängt, verarbeitet und automatisch dem Sender der Wellen antwortet. Die vom Sender an den Chip gesendeten Wellen werden bei passiven RFID-Chips für die Stromversorgung des Chips verwendet. Aktive RFID-Chips mit eigener Energieversorgung (z.B. eine Batterie) haben höhere Reichweiten. RFID-Chips werden u.a. in neueren Personalausweisen, in Schlüsseln für automobile Wegfahrsperren oder auch für Container-Siegel genutzt.
Ein einzelner Produktionslauf bei der Herstellung von Verbindungs-halbleiterschichten.
Der Sarbanes-Oxley Act of 2002 (kurz SOX) ist ein US-Bundesgesetz, das die Verlässlichkeit der Berichterstattung von Unternehmen, die den öffentlichen Kapitalmarkt der USA in Anspruch nehmen, verbessern soll.
Silizium ist ein Element des Periodensystems mit dem chemischen Symbol Si. Silizium ist ein Halbleiter, der für die Herstellung der meisten integrierten Schaltungen verwendet wird. Silizium ist u.a. wegen seiner großen Verfügbarkeit (wird aus Quarzsand gewonnen) und dem stabilen Siliziumdioxid (Quarz), das oft als Isolator für MOS-Feldeffekt-Transistoren dient, beliebt in der Halbleiterindustrie.
Ein Chip, der Informationen speichert, die von Logikchips (z.B. Prozessor im Computer) verarbeitet werden. In einem Computer speichern die Speicherchips z.B. das Textverarbeitungsprogramm, während es benutzt wird, sowie die einzelnen Buchstaben der Textverarbeitungsdokumente, die gerade bearbeitet werden. Für die meisten Computer werden DRAM-Speicher verwendet. Auf Speicherchips kann schneller zugegriffen werden als auf Festplatten. Hinsichtlich der weltweiten Gesamteinnahmen ist dies der wichtigste Speichertyp.
Der Bereich, den eine Anlage in einem Reinraum einnimmt. Dies ist ein wichtiger Aspekt, da die Reinraumfläche teuer ist und die Standfläche einer Anlage daher möglichst klein sein sollte. Halbleiterhersteller interessieren sich für zwei Größen – die Standfläche und die Frontlänge (Länge der Maschinenfront). Die Frontlänge hat Einfluss darauf, wie viele Anlagen in eine Halle passen, wenn alle nebeneinander aufgestellt sind.
Als Substrat bezeichnet man hier die einkristalline Keimplatte als Startmaterial für die Epitaxie. Typische Substrate sind Galliumarsenid, Silizium oder Saphir.
Diese rotierende Platte dient als Auflage für das Substrat oder den Substrathalter. Normalerweise besteht er aus Graphit, um sehr gleichmäßige Temperaturen zu gewährleisten.
Der TecDAX® ist ein deutscher Technologie-Aktienindex. Neben dem DAX®, dem MDAX® und dem SDAX® gehört der TecDAX® zum Prime Standard.
Der Dünnschichttransistor (engl. „Thin-Film-Transistor“, kurz TFT) ist ein spezieller Feldeffekttransistor mit dem großflächige elektronische Schaltungen, z. B. auf Glasscheiben, hergestellt werden können. Er gibt dem TFT-Flachbildschirm seinen Name. TFT finden u.a. in Laptops und Computermonitoren Verwendung.
Bei der Gasphasenabscheidung (CVD, MOCVD, etc.), werden die Ausgangsstoffe in einem Trägergas transportiert und dann in den Reaktor eingeleitet. Als Trägergase werden vorrangig Wasserstoff, Argon oder Stickstoff eingesetzt.
Der Transistor ist eines der wichtigsten elektronischen Bauelemente und Grundlage für viele moderne Technologien (z.B. CMOS). Allgemein sind Transistoren elektrische, Spannungs- oder Strom-gesteuerte Widerstände. Anders als Widerstände oder Dioden besitzen sie 3 Kontakte. Der dritte Anschluss dient zum Steuern des Widerstands zwischen den ersten beiden Kontakten. Transistoren werden meistens als Schalter verwendet. Dabei wird zwischen maximal und minimal möglichem Widerstand gewechselt. Es gibt viele verschiedene Bauarten von Transistoren. Die bekanntesten Grundtypen sind der (MOS-) Feldeffekttransistor und der Bipolartransistor. Transistoren werden u.a. in der Leistungselektronik, in TFT-Displays, in Logik- und in Speicherchips genutzt.
Diese aus mehreren Elementen bestehenden Halbleiterverbindungen sind komplexe Kristallstrukturen. Sie definieren sich aus den Hauptgruppen des Periodensystems, wie zum Beispiel IV-IV (Germanium-Silizium), III-V (Gallium-Stickstoff) oder II-VI (Zink-Sauerstoff). Verbindungshalbleiter haben einige Vorteile gegenüber Halbleitern aus nur einem Element. Einige haben Eigenschaften, die es erlauben, effizient Licht auszustrahlen oder zu absorbieren (zur Beleuchtung mit LED oder zur Erzeugung elektrischer Energie mit Solarzellen). Aus etlichen können Bauelemente erzeugt werden, die eine höhere Leistungsfähigkeit, höhere Arbeitsfrequenz oder höhere Effizienz haben als ähnliche Bauelemente, die nur aus Silizium bestehen. Da man das Mischverhältnis der jeweiligen Elementgruppen relativ frei einstellen kann (z.B. AlInGaN, InGaAsP), können die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern speziell für einen gewünschten Zweck beeinflusst werden (z.B. LED-Farbe).
Die Gasphasenepitaxie (engl. „Vapor Phase Epitaxy“, kurz VPE) ist ein Oberbegriff für Verfahren zur Abscheidung von Schichten aus der Gasphase. Hierzu zählen u.a. HVPE und MOCVD.
Mit Wafer oder auch Substrat werden dünne, oft kreisrunde Platten bezeichnet. Auf dem Wafer werden mittels Epitaxie dünne Schichten abgeschieden, um elektronische Bauteile (z.B. LED) oder ganze integrierte Schaltungen herzustellen. Für Wafer gibt es standardisierte Größen (z.B. 100 mm Durchmesser). Häufig werden kristallines Silizium oder Saphir als Wafermaterial verwendet.
Das Wertpapierhandelsgesetz (WpHG) reguliert in Deutschland den Wertpapierhandel und dient der Kontrolle von Wertpapier-Dienstleistungsunternehmen zum Schutz der Anleger.
Alan Tai
Taiwan/Singapore
Christof Sommerhalter
USA
Christian Geng
Europe
Hisatoshi Hagiwara
Japan
Nam Kyu Lee
South Korea
Wei (William) Song
China
AIXTRON SE (Headquarters)
AIXTRON 24/7 Technical Support Line
AIXTRON Europe
AIXTRON Ltd (UK)
AIXTRON K.K. (Japan)
AIXTRON Korea Co., Ltd.
AIXTRON Taiwan Co., Ltd. (Main Office)
AIXTRON Inc. (USA)
Laura Preinich
Recruiter
Tom Lankes
Talent Acquisition Expert - Ausbildungsleitung
Christoph Pütz
Senior Manager ESG & Sustainability
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
Ralf Penner
Senior IR Manager
Prof. Dr. Michael Heuken
Vice President Advanced Technologies
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications