DEPOSITIONSANLAGE FÜR VERBINDUNGSHALBLEITER

AIX G5 WW C

“Höchstleistung für die SiC-Leistungselektronik der Zukunft ebnet den Weg für Megatrends“

 

Multiwafer-Verarbeitung mit hohem Durchsatz bei gleichzeitiger Kontrolle der Einzelwafer - eine Kombination aus dem Besten beider Welten.

Vorteile

  • Bester Durchsatz und niedrigste Betriebskosten pro Wafer
  • Leistungsfähigkeit eines Einzelwafers in einer Multi-Wafer-Konfiguration für exzellente Qualität der Epitaxieschichten
  • Unterstützung des Marktaufbaus für SiC-Leistungselektronik dank kompatibler Automation für bestehende Silizium-Produktionslinien

Produkteigenschaften

  • Planetenreaktor mit Wafer-Transfer unter hohen Temperaturen
  • Effiziente Gasnutzung in der Produktionskammer
  • Temperaturkontrolle auf Wafer-Ebene
  • Verarbeitung der Wafer im Kassettenbetrieb ("Cassette-to-cassette", C2C)
  • Schnelle Epitaxie-Prozesse  
  • 8x150 mm-Konfiguration mit Einzelwafer-Rotation
  • AutoSat für Steuerung der inneren Wafer-Homogenität
  • Werksseitige SECS-GEM-Schnittstelle

AIX G5 WW C - Anlage mit automatisiertem Wafer-Transfermodul

Ihr Ansprechpartner

Marketing

Vincent Meric

Vice President Marketing

Service

AIXTRON SE (Headquarters)

AIXTRON 24/7 Technical Support Line

AIXTRON Europe

AIXTRON Ltd (UK)

AIXTRON K.K. (Japan)

AIXTRON Korea Co., Ltd.

AIXTRON Taiwan Co., Ltd. (Main Office)

AIXTRON Inc. (USA)

Produkte

Vincent Meric
Vice President Marketing

Karriere

Laura Preinich
Recruiter

Tom Lankes
Talent Acquisition Expert - Ausbildungsleitung

Nachhaltigkeit 

Christoph Pütz
Senior Manager ESG & Sustainability

Investor Relations

Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications

Ralf Penner
Senior IR Manager

Forschung & Entwicklung

Prof. Dr. Michael Heuken
Vice President Advanced Technologies

Presse & Öffentlichkeitsarbeit

Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications