AIX G5+ C: Depositionsanlage für Verbindungshalbleiter :: AIXTRON

DEPOSITIONSANLAGE FÜR VERBINDUNGSHALBLEITER

AIX G5+ C

“Hochmoderner Planetenreaktor für erweiterte GaN-Anwendungen auf 150/200 mm Substraten (Si/Saphir/SiC) steigert Produktivität und Wafer-Leistung”

Vorteile

Ausgewählt von den besten Unternehmen der Branche
Höchster Durchsatz
Niedrigste Betriebskosten
Höchste Ausbeute
Erste vollautomatisierte MOCVD-Anlage mit Cl2 in-situ Reinigung und Cassette-to-Cassette Wafer-Handler

Produkteigenschaften

Kostenvorteile eines Batch-Reaktors kombiniert mit der einzigartigen achsensymmetrischen On-Wafer-Gleichförmigkeit eines Einzelwafer-Reaktors in Bezug auf:
- Waferkrümmung
- Schichtdicke, Materialzusammensetzung, Dotier-Konzentration
- Bauelement-Ausbeute
Warme Kammerdecke ergibt niedrigsten Wärmefluss durch Wafer
- Minimierte Waferkrümmung durch minimalen vertikalen Temperatur-Gradienten
- Ermöglicht den Einsatz von Si-Wafern mit Standarddicke
Wafer-Temperaturoptimierung durch kundenspezifisches Design der Substrattaschen

Konfigurationen

8x150 mm
5x200 mm

AIX G5+ C - Reaktormodul mit Cassette-to-Cassette-Waferhandler

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