AIX 2800G4-TM: Depositionsanlage für Verbindungshalbleiter :: AIXTRON

DEPOSITIONSANLAGE FÜR VERBINDUNGSHALBLEITER

AIX 2800G4-TM (IC2)

“Die beste Anlage für die Massenproduktion von GaAs/InP-basierten Optoelektronik- und RF-Anwendungen“

Vorteile

Beste Kontrolle der Abscheidung - auf Wafer-Ebene
Niedrigste Partikelanzahl
Höchste Produktausbeute
Niedrigste Produktionskosten

Produkteigenschaften

Einzigartiger horizontal durchströmter Planetenreaktor - integriert beste Gleichmäßigkeit und höchsten Wirkungsgrad
Prozesskammer aus Graphit – sehr geringe Partikelanzahl und höchste Wiederholungsleistung
Dreifache Prozessgaseinspritzung - Maximale Ausbeuteoptimierung
Einzelrotation der Wafer – Kombination der Produktivität einer Mehrscheiben-Prozesskammer mit der Abstimmbarkeit einer einzelnen Prozesskammer
Automatisierte Satellitenbeladung bei hohen Temperaturen - Höchster Durchsatz, niedrigste Partikelanzahl

Konfigurationen

15x4 Zoll
8x6 Zoll

AIX 2800G4-TM (IC2)

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