Renommiertes F&E-Zentrum in den USA erforscht Graphen auf SiC mit horizon- talem Heißwandreaktor von AIXTRON

Das Forschungs- und Entwicklungszentrum eines großen Unternehmens im Nordosten der USA hat eine Siliziumkarbid CVD*-Anlage von AIXTRON bestellt. Die Anlage – eine 1x4-Zoll VP508GFR – wird mit einem doppelten horizontalen Heißwandreaktor geliefert, der aufgrund des Gas Foil Rotation-Prinzips** sehr gute Waferhomogenität und Hochtemperaturprozesse ermöglicht.

Sechs weitere AIXTRON CRIUS-Anlagen für HC SemiTek

AIXTRON schließt Umwandlung in eine SE (Societas Europaea) ab / Umwandlung als Bekenntnis zur internationalen Ausrichtung

AIXTRON liefert Antrieb für Changelights LED-Expansion

AIXTRON verzeichnet Rekordergebnis für das dritte Quartal 2010 / Weiteres Wachstum bei Aufträgen, Umsatzerlösen und Betriebsergebnis / Umsatzprognose 2010 von ca. EUR 750 Mio.(ca. USD 1 Mrd.

AIXTRON AG: Neo-Neon bestellt 10 weitere AIXTRON MOCVD-Anlagen für die LED-Produktion