EpiGaN: 8-Zoll GaN-auf-Si-Entwicklung auf AIXTRON Anlagen erfolgreich gestartet

Mit den für mehrere 6-Zoll Substrate bzw. einem 8-Zoll Substrat konfigurierbaren Anlagen will der Hersteller zunächst 6-Zoll GaN-auf-Si-Wafer für Bauelemente der Leistungs- und Hochfrequenzelektronik auf den Markt bringen und darüber hinaus die nächste Generation von 200 mm GaN-auf-Si-Wafern entwickeln.

Ein Serviceteam von AIXTRON Europa hat die Anlagen in einer eigens für diesen Zweck gebauten Produktionsstätte auf dem Forschungs-Campus im belgischen Hasselt installiert und in Betrieb genommen.

„EpiGaN ist ein Spin-off des weltweit renommierten Forschungsinstituts IMEC. Nach Abschluss der Finanzierungsrunde konnte die strategische Planung unserer Produktionskapazitäten erfolgen", erklärt Dr. Marianne Germain, Chief Executive Officer von EpiGaN. „Mit AIXTRON verbindet uns eine über viele Jahre erfolgreiche Kooperation auf dem Gebiet GaN-auf-Si – wir haben die Close Coupled-Showerhead (CCS-)Technologie schon zu IMEC-Zeiten eingesetzt und gemeinsam zahlreiche Publikationen zu diesem Thema veröffentlicht. Daher waren wir sicher, dass sich die CCS-Technologie für unsere Anforderungen optimal eignet." Angesichts der Herausforderungen bei der Herstellung von 200 mm GaN-auf-Si-Bauelementen für Hochspannungs- anwendungen setze man auf die Kombination aus EpiGaNs langjähriger Expertise und AIXTRONs fortschrittlicher Prozess- und Anlagentechnologie. „Wir sind zuversichtlich, dass wir alle Ziele schnell und effizient erreichen werden."

„EpiGaN ist eine der Firmenneugründungen mit dem größten Potenzial in Europa", sagt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President und Programm-Manager Leistungselektronik bei der AIXTRON SE. „Wir freuen uns daher sehr über den neuen Auftrag. Im Rahmen der Zusammenarbeit werden sich Anlagen, Prozesse und Materialien für großflächige GaN-auf-Si-Wafer weiterentwickeln."

Seit seiner Gründung 2010 liefert EpiGaN Herstellern von Bauelementen eine einzigartige, bewährte Technologie für unterschiedliche Marktsegmente, z.B. Stromversorgungen für die Unterhaltungselektronik, Hybrid-Elektrofahrzeuge, Inverter für Solarmodule, HF-Konverter in Basisstationen oder Smart Grid-Anwendungen. Das Unternehmen beteiligt sich auch an dem EU-Projekt HiPoSwitch, das sich zum Ziel gesetzt hat, neue kompaktere Energiekonverter mit höherer Leistungsfähigkeit zu entwickeln.

Über EpiGaN

EpiGaN wurde 2010 als Spin-off des Forschungszentrums Imec (Leuven, Belgien) gegründet. Das Unternehmen fokussiert auf die Entwicklung und Kommerzialisierung seiner weltweit führenden, auf epitaxialen III-Nitrid Materialien basierenden Wafer-Lösungen für die Hersteller von Top-performance Power-Management- und HF-Halbleitern. EpiGaN bietet seinen Kunden den frühzeitigen Zugang zu einer einzigartigen, bewährten Technologie für das Leistungs-Management. Schlüsselmärkte sind Stromversorgungen für die Consumer-Elektronik, erneuerbare und umweltfreundliche Energiequellen für hybrid-elektrisch getriebene Fahrzeuge, Inverter für Solarmodule, drahtlose HF-Basisstationen und Smart-Grid-Applikationen. EpiGaN hat in Hasselt mit der Volumenfertigung seiner 8-Zoll GaN-on-Si Wafer begonnen.