AIXTRON führt AIX G5+ in den Markt ein

Mit der AIX G5+, einer 5x200 mm-Anlage für die Epitaxie von Galliumnitrid auf Silizium (GaN-auf-Si), hat AIXTRON ein neues Technologiepaket für seine AIX G5-Anlage geschnürt. Die neue Plattform ist eine kundenfokussierte Produktentwicklung aus dem F&E-Labor, die mit speziellen Hardwarekomponenten und Prozessfähigkeiten ab sofort als Teil der AIX G5-Produktfamilie zur Verfügung steht. Bestehende AIX G5 HT-Anlagen lassen sich damit erweitern. Einige Schlüsselkunden haben bereits Einblick in die technischen Details der G5+ erhalten.

 „GaN-auf-Si ist derzeit ein Top-Thema bei  MOCVD-Kunden und -Herstellern", sagt Dr. Rainer Beccard, Vice President Marketing bei AIXTRON. „Im wachsenden Marktsegment der Leistungselektronik ist diese Technologie das Mittel der Wahl. Sie bietet auch für die Herstellung von leistungsfähigen, kostengünstigen LEDs der Zukunft großes Potenzial. Um kosteneffizient produzieren zu können, sind Wafergröße und -material die entscheidenden Faktoren – daher ist der Übergang auf 200 mm Standard-Silizium-Wafer der nächste logische Schritt in der Produktionsplanung, mit dem sich beträchtliche Skaleneffekte realisieren lassen."

„Unsere Überzeugung, dass Homogenität und hohe Ausbeute die wesentlichen Faktoren für eine erfolgreiche 200 mm GaN-auf-Si-Prozessentwicklung sind, hat den Anstoß für das Projekt gegeben“, ergänzt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President und Programm-Manager Leistungselektronik bei AIXTRON. „Ein umfassendes Simulationsprogramm hat uns zu grundlegend neuen Hardwarekomponenten geführt, die ganz hervorragende Ergebnisse für 5x200 mm-Prozesse liefern und gleichzeitig mit unserer bewährten AIX G5-Plattform kompatibel sind.“ Im Vergleich zu jeder anderen MOCVD-Plattform zeige die AIX G5+ extrem stabile Prozesse mit deutlich verbesserter Homogenität der Materialeigenschaften und ermögliche so eine erhöhte Ausbeute der Bauelemente basierend auf einer Reaktorkapazität von 5x200 mm.

Erste Rückmeldungen von Kunden bestätigen den technologischen Fortschritt der Neuentwicklung – insbesondere die vollständig rotationssymmetrische Homogenität auf allen fünf Wafern, der Einsatz von Siliziumsubstraten mit Standarddicke und die Kontrolle der Waferkrümmung sind elementare Neuerungen für die aus der Siliziumtechnologie kommende Massenfertigung, die bislang fehlten. „Das Homogenitätsmuster war von Beginn an eine feste Komponente in AIXTRONs Planeten-Reaktortechnologie“, betont Dr. Wischmeyer, „es ist uns gelungen, diese erfolgreich auf 200 mm-Wafer zu übertragen."