LandMark Optoelectronics erweitert Kapazität mit AIXTRON Technologie

AIXTRON SE (FSE: AIXA; NASDAQ: AIXG), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass die LandMark Optoelectronics Corporation, ein Lieferant von Epitaxie-Wafern auf Basis von Galliumarsenid (GaAs) und Indiumphosphid (InP) für den Einsatz in der optischen Kommunikation, eine weitere Anlage vom Typ AIX 2800G4-TM zur Produktion von Laserdioden erworben hat. Die Anlage wird im ersten Quartal 2016 ausgeliefert.

Basierend auf der bewährten Planetenreaktor-Plattform von AIXTRON bietet die AIX 2800G4-TM erstklassige Prozessleistungen sowie eine Beschichtungshomogenität, die zu exzellenten Produktionsergebnissen führt. Ergänzt um ein höchst effizientes Transfermodul (TM), das einen höheren Durchsatz und kürzere Taktzeiten ermöglicht, ist die Anlage vor allem für die Herstellung von Hochleistungslaserdioden geeignet. Darüber hinaus erlaubt ihre spezielle Konstruktion eine flexible Konfiguration für Wafergrößen von 2 bis 8 Zoll. Damit unterstützt die Anlage die schrittweise Produktentwicklung der Kunden und senkt gleichzeitig die Herstellungskosten pro Wafer auf ein Minimum.

„Unsere AIX 2800G4-TM-Anlage ist perfekt auf die Anforderungen von LandMark für die kosteneffiziente Massenproduktion von Laserwafern abgestimmt. Wir werden LandMark umfassend unterstützen, um unserem Kunden einen schnellen Produktionsbeginn mit der neuen Anlage zu ermöglichen“, erklärt Dr. Bernd Schulte, Executive Vice President und COO der AIXTRON SE.

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