AIX G5 WW C - AIXTRON präsentiert neue Produktionsanlage für Siliziumkarbid

Herzogenrath, 30. September 2019 – AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, hat im Rahmen der derzeit in Kyoto (Japan) stattfindenden International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) offiziell die neue AIX G5 WW C-Anlage für die Großserienproduktion von Epitaxie-Wafern der nächsten Generation aus Siliziumkarbid (SiC) vorgestellt. AIXTRON hat für die Anlage bereits Aufträge von mehreren Kunden erhalten und darüber hinaus Demonstrationen für weitere Kunden erfolgreich durchgeführt.

Siliziumkarbid ist ein wichtiger Baustein moderner Leistungselektronik-Systeme, die derzeit in Elektrofahrzeugen der nächsten Generation eingesetzt werden. Die neue Technologie ermöglicht sowohl kompakte und leistungsstarke On-Board-Ladegeräte als auch effiziente Wechselrichter, welche die entscheidende Komponente im elektrischen Antriebsstrang von Autos bilden.

Dr. Felix Grawert, Vorstand der AIXTRON SE, sagt: "Wir gehen davon aus, dass die Nachfrage nach SiC-Leistungselektronik in den kommenden Jahren stark wachsen wird. Bis 2023 rechnet man für den Markt für Leistungsbauelemente mit einem Volumen von mehr als 10 Mrd. USD, wovon 1-2 Mrd. USD auf hocheffiziente Bauelemente aus Siliziumkarbid entfallen werden. Unsere kosteneffiziente Epitaxie-Depositionsanlage unterstützt die Hersteller von SiC-Bauelementen im Wettlauf um den Gewinn von Marktanteilen zulasten siliziumbasierter Leistungselektronik-Bauelemente. Damit unterstützt AIXTRON die globalen Trends zu grüner Energie in den Bereichen Elektromobilität, Wind- und Solarenergie sowie in hocheffizienten Motorantrieben."

Basierend auf AIXTRONs bewährter Planetenreaktor®-Plattform und ausgestattet mit einem hochmodernen Wafer-Transfersystem für den Kassettenbetrieb („Cassette-to-Cassette“, C2C) bietet die vollautomatische AIX G5 WW C die größte Kapazität und den höchsten Durchsatz der Branche. Zunächst mit dem Angebot einer 8x6-Zoll-Konfiguration sowie der Möglichkeit die Wafer einzeln zu steuern, adressiert die Anlage die Herausforderung hinsichtlich der Herstellungskosten von SiC-Bauelementen: Die AIX G5 WW C reduziert die Epitaxie-Kosten von SiC-Bauelementen auf ein Minimum unter gleichzeitiger Beibehaltung einer exzellenten Produktionsqualität. Darüber hinaus ist die AIX G5 WW C kompatibel mit Fabriken in der Siliziumindustrie und ermöglicht so die Integration der Herstellung von SiC-Epiwafern in bestehende Räumlichkeiten und Produktionslinien. 

"Wir bei AIXTRON freuen uns, unseren Partnern und Kunden eine leistungsstarke Anlage zur Herstellung hochwertiger Siliziumkarbid-Bauelemente zur Verfügung stellen zu können. Die AIX G5 WW C beinhaltet nicht nur die automatisierte Beladung mit Wafern im Kassettenbetrieb und den Weitertransport der Wafer unter hohen Temperaturen, sondern berücksichtigt auch die anspruchsvollen Bedürfnisse unserer Kunden in der Halbleiterindustrie", sagt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President Business Development & Marketing Power Electronics bei AIXTRON.

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