Transphorm: kosteneffiziente Leistungs- umrichter mit AIXTRON 6-Zoll GaN-on-Si-Anlage

Ein Service Team von AIXTRON Inc. hat die Anlage an Transphorms Hauptsitz in Goleta, Kalifornien in den USA erfolgreich installiert und in Betrieb genommen.

„Wie kein anderes Unternehmen genießt AIXTRON ein ausgezeichnetes Renommee – daher beabsichtigen wir im Rahmen dieser erfolgreichen Zusammenarbeit, neue Anwendungen zu entwickeln und unsere Kapazitäten zu steigern", erklärt Primit Parikh, Präsident von Transphorm. „Die G4 erfüllt alle Anforderungen und ist in verschiedener Hinsicht interessant für uns: Sehr beeindruckt hat uns die skalierbare Multiwafer-Plattform, die hohe Prozesskompatibilität und den einfachen Ausbau der Kapazitäten für die weitere Expansion ermöglicht. Damit werden wir in der Lage sein, 6-Zoll GaN-on-Si-Multiwafer für die Herstellung unserer proprietären GaN-Bauteile einzusetzen.

AIXTRON bietet genau die moderne, leistungsfähige technische Ausstattung, die für unser komplexes Projekt erforderlich ist. Die erfahrenen und engagierten Service-Ingenieure von AIXTRON USA haben sehr gut mit unserem Team zusammengearbeitet und für eine reibungslose Installation und Inbetriebnahme gesorgt."

Mit dem Ziel, elektrische Umrichtungstechnologie auf Basis von III-Nitrid-Materialien und -Bauteilen neu zu definieren, will Transphorm wettbewerbsfähige, leicht integrierbare Leistungswandlermodule anbieten, mit denen teure Energieverluste um bis zu 90 Prozent reduziert werden können. Auf diese Weise wird es möglich sein, Design und Herstellung von Motorantrieben, Stromversorgungen und Wechselrichtern für Solarzellenpanels und elektrische Fahrzeuge zu vereinfachen. Von der Materialtechnologie über die Herstellung von Bauelementen bis zu Schaltungsdesign und Modulmontage bietet Transphorm Kunden weltweit Lösungen im Bereich der Leistungswandler und unterstützt sie dabei, schnell zu skalieren und ihre Kosten zu senken. Durch die Vernetzung von Herstellern elektrischer Systeme treibt das Unternehmen die Einführung anwendungsspezifischer Leistungsmodule voran und bereitet den Weg für die nächste Generation elektrischer Systeme mit optimalem Wirkungsgrad.

*GaN = Galliumnitrid
**GaN-on-Si = GaN-auf-Silizium

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®