19. April 2012 | Pressemeldungen

MicroLink bestellt weitere AIX 2800G4-Anlage von AIXTRON

Im Zuge einer erneuten Kapazitätssteigerung für HBT*-Transistoren und Solarzellen hat der US-amerikanische Hersteller MicroLink Devices mit Sitz in Niles, IL, im dritten Quartal 2011 eine weitere AIX 2800G4-Anlage mit vollautomatischer Waferbeladung bestellt. Die Auslieferung der neuen Anlage ist für das zweite Quartal 2012 geplant.

„Die Qualität und Homogenität der Materialien, die wir mit unserer ersten AIX 2800G4 hergestellt haben, sind vielversprechend", äußert Dr. Noren Pan, Präsident bei MicroLink Devices. „Mit der Anlage bietet AIXTRON das beste Kosten-Nutzen-Verhältnis für die Massenfertigung von beschichteten Wafern. So profitieren unsere Kunden von der hohen Produktivität des Reaktors, da auch ihre Fertigungskosten gesenkt werden."

„Dieser große, vollautomatische Reaktor bietet sehr vorteilhafte Produktionskosten, die durch die Parameter Durchsatz, Durchlaufzeiten und Ertrag definiert werden“, erläutert AIXTRONs COO Dr. Bernd Schulte. „Die Folgebestellung von MicroLink Devices bestätigt uns, dass unser Kunde diese Vorzüge schätzt."

Dr. Pan gründete MicroLink Devices im Jahr 2000. Die Wafer des Herstellers finden breite Anwendung in der Hochgeschwindigkeitskommunikation sowie in Solarzellen-Bauteilen. Aufgrund hoher Qualitäts- und Servicestandards ist das Unternehmen seit 2005 nach ISO 9001 zertifiziert und seit sechs Jahren Hauptauftragnehmer in zahlreichen staatlichen Projekte in den Bereichen Solarzellen und Elektronik. Auftraggeber sind NASA, DARPA, Forschungslabore der Air Force und der Marine, die Kommandoeinrichtung Special Operations and Command, das Department of Energy, staatliche Labore für erneuerbare Energien sowie die National Science Foundation. MicroLink Devices hat mit zahlreichen Kooperationspartnern im Rahmen gewerblicher Forschungs- und Entwicklungsprojekte zusammengearbeitet, deren Ergebnisse in kommerziellen Produkten breite Anwendung finden.

*HBT, Heterojunction Bipolar Transistor = Bipolar-Transistor mit einem Heteroübergang

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®

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