Koreanische LG Electronics bestellt AIXTRON G5-Anlage für GaN/Si-Anwendungen

Der Vertrag enthält eine Kooperationsvereinbarung zur Optimierung von LGEs GaN/Si-Prozessen, um die Produktion von LGEs eigenentwickelten Bauelementen zu beschleunigen.

Nach der Auslieferung der Anlage im laufenden Quartal wird ein Service Team von AIXTRON Korea die G5 in LGEs moderner Betriebsstätte zusätzlich zu den bereits vorhandenen AIXTRON Anlagen installieren und in Betrieb nehmen. Der koreanische Hersteller will damit Bauteile mit optimalem Preis-Leistungs-Verhältnis für die Leistungselektronik entwickeln, speziell für die Hausgeräte-Industrie und den Einsatz in Elektrofahrzeugen.

Gerade für Kunden wie LGE, die von der Forschung und Entwicklung zur Massenproduktion übergehen wollen, eignet sich AIXTRON Technologie in besonderem Maß. So wird LGE vor allem von der ausgezeichneten Schichtdickenhomogenität auf dem Wafer sowie dem gesamten Suszeptor und von der hohen Verlässlichkeit der Anlage bei aufeinanderfolgenden Läufen profitieren.

Damit erfüllt die AIX G5 HT alle Kundenanforderungen – wie spezielle Prozessparameter und Schichtstruktur der Bauelemente – und bietet zudem von Beginn an die Möglichkeit, Prozesse auf Wafern mit größerem Durchmesser zu entwickeln. Mit dem neuen GaN/Si-Projekt, in das die Expertise beider Unternehmen einfließen wird und mit dem LGE seine Führungsrolle in der GaN-on-Si-Technologie erfolgreich untermauern dürfte, setzen LGE und AIXTRON ihre langjährige und vertrauensvolle Kooperation fort. Ziel des gemeinsamen Entwicklungsprojekts ist es, einen Wandel in der Galliumnitrid-Industrie einzuleiten.

*   MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung
**  GaN-on-Si = Silizium-Wafer mit Galliumnitrid-Schicht

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