AIXTRON plant Investition von bis zu 100 Millionen Euro / Neues Innovationszentrum in Herzogenrath soll dem Spezialanlagenbauer noch mehr Platz für Forschung und Entwicklung bieten.

AIXTRON plant Investition von bis zu 100 Millionen Euro

Neues Innovationszentrum am Standort in Herzogenrath soll dem Spezialanlagenbauer noch mehr Platz für Forschung und Entwicklung bieten.

Herzogenrath, 16. Mai 2023 – AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) plant, bis zu 100 Millionen Euro am Standort in Herzogenrath zu investieren. Entstehen soll dabei ein neues Innovationszentrum, das dem Spezialanlagenbauer künftig noch mehr Kapazität für Forschung und Entwicklung bietet. Grünes Licht für das Projekt bekam AIXTRON an diesem Dienstag vom Aufsichtsrat des Unternehmens.

Auf dem Firmengelände in Herzogenrath sollen 1000m² Reinraumfläche entstehen. Der Neubau schafft Platz für die nächsten Produktgenerationen, die sich bereits heute in der Vorbereitung befinden, sowie für weitere Produktentwicklungen darüber hinaus.

„Wir adressieren mit unseren Produkten die Megatrends Digitalisierung, Elektromobilität und Energieeffizienz und verzeichnen eine starke und stetig wachsende Nachfrage. Technische Innovationen und Produktentwicklungen, die die Bedürfnisse unserer Kunden passgenau adressieren, sind der Schlüssel für unseren Erfolg. Unser dynamisches Umfeld bietet uns weitere Wachstumsmöglichkeiten“, sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE. „Wir freuen uns daher sehr, dass der Aufsichtsrat das Projekt genehmigt hat, und wir somit die Grundlage für weitere Produktentwicklungen und künftiges Wachstum schaffen können.“ 

Die Bedeutung von Produktentwicklungen in der dynamischen Halbleiter-Industrie zeigt der Erfolg der neuen „G10“-Anlagengenerationen von AIXTRON: Im ersten Jahr nach der Markteinführung erwartet AIXTRON bereits mehr als 40 Prozent des Jahresumsatzes mit dieser neuen Produkt­generation zu realisieren. Die neue Anlage für das Materialsystem Siliziumkarbid (G10-SiC) verzeichnete bereits kurz nach ihrer offiziellen Vorstellung hohe Auftragseingänge und sorgt im Jahr 2023 für einen weiteren Wachstumsschub.

Auch die neue Anlage für die Materialsysteme Gallium-Arsenid/Indium-Phosphit (G10-AsP) erfreut sich bereits im ersten Jahr nach ihrer Markteinführung einer starken Nachfrage. Sie ermöglicht erstmalig die Produktion von Micro LEDs und photonischen Bauelementen wie Lasern im industriellen Maßstab und auf Wafern mit bis zu 200mm Durchmesser. Im weiteren Jahresverlauf wird ebenfalls die neue G10-Anlage für Galliumnitrid (GaN) in den Markt eingeführt.

Die Materialsysteme SiC und GaN besitzen das Potential, die komplette Bandbreite der Leistungselektronik vollständig abzudecken – von Elektromobilität, über Technologien der erneuerbaren Energie oder für schnelle Datenübertragung. Mit ihren herausragenden Materialeigenschaften können sie in diesen Bereichen dafür sorgen, die weltweiten CO₂-Emissionen deutlich zu reduzieren und der Elektromobilität zum Durchbruch zu verhelfen.

Ansprechpartner

Guido Pickert
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail g.pickert@aixtron.com

Ragah Dorenkamp
Director Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-1830
mobil +49 (151) 74607360
e-mail r.dorenkamp@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und ‑umwandlung, Kommunikation, Signal‑ und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.