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08. November 2011 | Finanznachrichten
AIXTRON SE / Schlagwort(e): Produkteinführung AIXTRON bringt weltweit produktivste MOCVD-Anlage CRIUS(R) II-XL auf den Markt Aachen, 8. November 2011 - Nach der erfolgreichen Produkteinführung der Die neue CRIUS(R) II-XL-Konfiguration basiert auf der gleichen Hardware wie schon das Vorgängermodell CRIUS(R) II-L. 'Lediglich die Suszeptorplatte muss ausgetauscht werden', so Dr. Johannes Lindner, Programm-Manager bei AIXTRON für Close Coupled Showerhead(R) (CCS)-Technologie. 'Trotz größerer Kapazität entstehen so praktisch keine zusätzlichen Kosten, da wir beim Design der neuen Anlage höchstes Augenmerk darauf gelegt haben, dass der Übergang von der CRIUS(R) II-L zur CRIUS(R) II-XL so einfach wie möglich vollzogen werden kann. Auch die Prozesse müssen nur geringfügig angepasst werden.' Grundlage für das neue Anlagendesign war erneut eine detaillierte Analyse des Marktes, bei der die LED-Herstellungskosten im Mittelpunkt standen. 'Die Hersteller sind gezwungen, immer kostengünstiger zu produzieren', erklärt Dr. Rainer Beccard, Vice President Marketing bei AIXTRON. 'Mit den Möglichkeiten der MOCVD-Technologie lässt sich diese Kostenreduktion erreichen. Da die Reaktorkapazität den größten Einfluss auf die Betriebskosten hat, haben wir uns für die 19x4-Zoll-Konfiguration entschieden. Intensive Tests in unserem Labor haben gezeigt, dass die neue Anlage neben ihrer Größe maximale Homogenität und hohe Erträge liefert. Die CRIUS(R) II-XL ist für Wafergrößen von 2 bis 8 Zoll optimiert. Der Wechsel auf eine andere Wafergröße erfolgt durch den einfachen Austausch des Suszeptors - weitere Hardware- oder Prozessanpassungen sind auch hier nicht erforderlich', so Dr. Beccard. AIXTRON Showerhead-Technologie ist aufgrund ihrer ausgezeichneten Prozessstabilität und Zuverlässigkeit eine anerkannte Größe im MOCVD-Markt und wird nun durch das neue Modell ergänzt. Die CRIUS(R) II-XL ist standardmäßig mit dem ARGUS In-situ-Messgerät und einem höhenverstellbaren Suszeptor ausgestattet, der es dem Anwender ermöglicht, während des Prozesses die optimale Reaktorgeometrie für jedes denkbare Prozess-Regime auszuwählen. MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6; NASDAQ: AIXG, ISIN US0096061041) sind im Internet unter http://www.aixtron.com verfügbar. Kontakt: Ende der Corporate News 08.11.2011 Veröffentlichung einer Corporate News/Finanznachricht, übermittelt durch die DGAP - ein Unternehmen der EquityStory AG. Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich. Die DGAP Distributionsservices umfassen gesetzliche Meldepflichten, Corporate News/Finanznachrichten und Pressemitteilungen. Medienarchiv unter http://www.dgap-medientreff.de und http://www.dgap.de |
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145107 08.11.2011 |
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®
Investor Relations
Ralf Penner
Senior IR Manager
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Taiwan/Singapore
Christof Sommerhalter
USA
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Europe
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China
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AIXTRON Taiwan Co., Ltd. (Main Office)
AIXTRON Inc. (USA)
Laura Preinich
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Talent Acquisition Expert - Ausbildungsleitung
Christoph Pütz
Senior Manager ESG & Sustainability
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
Ralf Penner
Senior IR Manager
Prof. Dr. Michael Heuken
Vice President Advanced Technologies
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications