Renommiertes F&E-Zentrum in den USA erforscht Graphen auf SiC mit horizon- talem Heißwandreaktor von AIXTRON

Die Bestellung erfolgte im dritten Quartal 2010. Nach der Auslieferung im zweiten Quartal 2011 wird das AIXTRON Service-Team USA die Anlage vor Ort installieren und in Betrieb nehmen.

„Die Verleihung des Physik-Nobelpreises für Graphen an Andre Geim und Konstantin Novoselov ist eine erfreuliche Nachricht angesichts der bevorstehenden Auslieferung", erklärt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President und Managing Director von AIXTRON AB. „Graphen ist ein einzigartiges Material mit hoher Mobilität der Ladungsträger und großem Potenzial als Kanalmaterial für künftige Bauelemente im Hochfrequenzbereich sowie für integrierte Schaltungen."

Die in ähnlichen Forschungsprojekten bereits erprobte AIXTRON VP508GFR-Anlage wird für epitaktisches Wachstum von Siliziumkarbid eingesetzt. Die hergestellten SiC-Strukturen werden anschließend in Graphen-Monoschichten umgewandelt.

Die VP508GFR-Anlage mit horizontalem Heißwandreaktor hat eine Kapazität von 4-Zoll-Wafern (1x6-Zoll optional) für Forschung und Entwicklung sowie für die Kleinserienproduktion. Die doppelte Kammerkonfiguration führt dabei zu einer besonders hohen Produktivität der Anlage.

AIXTRON bietet darüber hinaus auch Produktionsanlagen auf Basis der patentierten Planetary Reactor-Technologie für die Anwendung im Hochtemperaturbereich zur Beschichtung von 4- sowie 6-Zoll-Siliziumkarbid-Wafern an.

* CVD, Chemical Vapor Deposition = Gasphasenabscheidung
** Gas Foil Rotation = Der Substratträger rotiert durch gezielte Gasströmung

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®