AZUR SPACE nutzt AIXTRON-Anlage für den Eintritt in den HPE-Markt

Herzogenrath, 4. August 2020 – Bei der Expansion in den Markt für GaN-on-Si High-Power Electronics (HPE) und Radio Frequency (RF) Epi-Wafer setzt AZUR SPACE auf die AIX G5+ C-Anlage von AIXTRON SE (FWB: AIXA), einem weltweit führenden Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. AZUR SPACE, weltweit führend in der Entwicklung und Produktion von Mehrfachsolarzellen für weltraumgestützte und terrestrische konzentrierte Photovoltaik-Anwendungen, ist ein langjähriger AIXTRON-Kunde und setzt bereits die Anlagen AIX 2800G4-TM und AIX 2600G3 für seine Weltraumsolaranwendung ein.

Epi-Wafer für die Energierevolution    

Die jetzt bestellte vollautomatische AIX G5+ C-Anlage mit der In-situ-Reinigung, einem Kassette-zu-Kassette-Wafer-Handler und der individuellen On-Wafer-Temperaturregelung Auto-Feed Forward (AFF) garantiert eine unübertroffene Epitaxie-Stabilität und niedrige Fehlerquoten. Darüber hinaus ermöglicht der Planeten-Reaktor® von AIXTRON hohe Produktivitäts- und Leistungssteigerungen dank besten Durchsatz, niedrigste Betriebskosten und höchste Ausbeute. Die hochmoderne MOCVD-Plattform wird für die Produktion von 150- und 200-mm-Epi-Wafer eingesetzt.

AZUR SPACE positioniert sich mit der Gründung eines zweiten Geschäftsbereichs, der seine Kompetenz in der III-V-Fertigung nutzt, auf dem schnell wachsenden Markt für Galliumnitrid (GaN)-Epi-Wafer für Leistungselektronik und RF-Anwendungen. Die Nachfrage nach diesen Epi-Wafern mit ihrer Fähigkeit, mit Hochfrequenz und geringerem Formfaktor zu arbeiten, wird hauptsächlich durch den Bedarf an energieeffizienten Energiesystemen, Schnellladelösungen, erneuerbaren Energien, Serverfarmen oder der nächsten Generation von drahtlosen Netzwerken (5G) angetrieben.

Die Branchenbesten setzen auf AIXTRON-Anlagen

„Der Markteintritt wird eine Herausforderung sein. Unsere mehr als 25-jährige Erfahrung in der III-V-Epitaxie-Technologie mit der Entwicklung und der Massenproduktion wird durch die Anlage von AIXTRON jedoch ideal ergänzt, sodass wir eine sehr gute Ausgangsposition haben. Wichtig ist, dass wir mit dem hochmodernen Planeten-Reaktor® von AIXTRON das exzellente Qualitätsniveau unserer Epi-Wafer sicherstellen, das wir benötigen, um den Zukunftsmarkt für Hochleistungselektronik zu erobern", sagt AZUR-Vorstandsvorsitzender Jürgen Heizmann.

Dr. Felix Grawert, Vorstand der AIXTRON SE, fügt hinzu: „Der Markt für GaN-Epi-Wafer für die Leistungselektronik und RF-Anwendungen ist sehr spannend. Es wird erwartet, dass er durch zahlreiche Anwendungen wie Schnellladelösungen oder die nächste Generation von drahtlosen Netzwerken (5G) erheblich wachsen wird. Die hohe Energieeffizienz der GaN-basierten Leistungselektronik trägt erheblich zur Verringerung der Klimaauswirkungen neuer Technologien bei.“

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Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®