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06. Juli 2011 | Finanznachrichten
AIXTRON SE / Schlagwort(e): Produkteinführung/Sonstiges AIXTRON bringt größte MOCVD-Anlage für GaN*-LEDs auf den Markt Aachen, 6. Juli 2011 - AIXTRON setzt einen neuen Maßstab für MOCVD**-Anlagenkapazität, Durchsatz und LED-Produktionskosten. Durch die Einführung der neuen AIXTRON CRIUS(R) II-L Anlage mit der weltweit größten MOCVD-Reaktorkapazität können Kunden nun zwischen einer Waferkonfiguration von 16x4-Zoll oder 69x2-Zoll wählen. Diese neue Reaktorentwicklung basiert auf der in 2010 sehr erfolgreich eingeführten und im Markt erprobten CRIUS(R) II Plattform, auf die die Kunden ihre qualifizierten und effizienten LED-Prozesse bereits reibungslos transferieren konnten. 'Die Senkung der Produktionskosten ist das ausschlaggebende Kriterium in der LED-Industrie, besonders in Hinblick auf die Kostenreduktion der LED-Beleuchtung. Wir haben die MOCVD relevanten Produktionskosten analysiert und festgestellt, dass die Reaktorkapazität als Schlüsselparameter die Betriebskosten am meisten beeinflusst', erklärt Dr. Rainer Beccard, Vice President Marketing bei AIXTRON. 'Der weltgrößte Reaktor der neuen CRIUS(R) II-L Anlage ist derzeit einzigartig und führt, im Produktionsbetrieb getestet, zu einer schnelleren Reduzierung der LED-Chipkosten. Neben unübertroffener Kapazität und Durchsatz bietet die Anlage aufgrund ihrer erstklassigen Homogenität und Reproduzierbarkeit außerordentliche Ausbeute.' Das Design des CRIUS(R) II-L Reaktors sei für Wafergrößen von 2- bis 8-Zoll optimiert und biete noch weiteres Potential zur Steigerung der Produktivität, so Dr. Beccard. Wie auch die Vorgänger-Generationen basiert die CRIUS(R) II-L Anlage auf dem Close Coupled Showerhead(R) (CCS)-Konzept, die Schlüsseltechnologie, die sich durch reibungslosen und schnellen Prozesstransfer bewährt hat. Über die Jahre hat sich die in vielen Märkten etablierte CCS-Technologie eine exzellente Anerkennung erarbeitet und ist besonders für ihre direkte Prozesssteuerung, die gleichbleibend stabilen Prozesse und ausgezeichneten Eigenschaften der LEDs bekannt. * GaN LEDs, gallium nitride LEDs = Galliumnitrid LEDs Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6; NASDAQ: AIXG, ISIN US0096061041) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar. Investor Relations and Corporate Communications Forward-Looking Statements This document may contain forward-looking statements regarding the business, results of operations, financial condition and earnings outlook of AIXTRON within the meaning of the safe harbor provisions of the Ende der Corporate News 06.07.2011 Veröffentlichung einer Corporate News/Finanznachricht, übermittelt durch die DGAP - ein Unternehmen der EquityStory AG. Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich. Die DGAP Distributionsservices umfassen gesetzliche Meldepflichten, Corporate News/Finanznachrichten und Pressemitteilungen. Medienarchiv unter http://www.dgap-medientreff.de und http://www.dgap.de |
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131007 06.07.2011 |
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®
Investor Relations
Ralf Penner
Senior IR Manager
Alan Tai
Taiwan/Singapore
Christof Sommerhalter
USA
Christian Geng
Europe
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Japan
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Wei (William) Song
China
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AIXTRON Taiwan Co., Ltd. (Main Office)
AIXTRON Inc. (USA)
Laura Preinich
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Talent Acquisition Expert - Ausbildungsleitung
Christoph Pütz
Senior Manager ESG & Sustainability
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
Ralf Penner
Senior IR Manager
Prof. Dr. Michael Heuken
Vice President Advanced Technologies
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications