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30. Oktober 2014 | Pressemeldungen
AIXTRON SE (FSE: AIX; NASDAQ: AIXG), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass der japanische Hersteller Showa Denko die neueste Anlage des Unternehmens zur Herstellung von Siliziumkarbid-Epitaxiewafern (SiC) erfolgreich qualifiziert hat. Die neue AIX G5 WW (Warm-Wall) Anlage verarbeitet bis zu acht 150 mm- oder zwölf 100 mm-Substrate. Sie ist damit das derzeit größte Produktionssystem mit dem höchsten Durchsatz und den niedrigsten Betriebskosten pro Wafer im Markt.
Der Geschäftsbereich SiC-Epitaxie von Showa Denko weist eine der größten Fertigungskapazitäten im Markt auf. Bereits 2013 vollzog das Unternehmen den Schritt von 4-Zoll- (100 mm) zu 6-Zoll-Wafern (150 mm). Showa Denko baut nun mit AIXTRON Technologie die Produktion von 150 mm-Wafern weiter aus, was die Möglichkeit zur deutlichen Senkung der Herstellungskosten bietet.
Die AIX G5 WW Anlage wurde mit Hilfe von AIXTRON’s japanischem Service- und Prozessteam trotz eines engen Zeitplans seitens des Kunden pünktlich qualifiziert: Nach der Inbetriebnahme im ersten Quartal 2014, erfolgte die Freigabe für die Produktion bereits in der ersten Aprilhälfte 2014.
Der Herstellungsprozess von Siliziumkarbid verlangt Temperaturen von bis zu 1.600 °C. Dank des Konzepts der Planetenrotation, bei dem jeder einzelne Wafer während des Prozesses rotiert und die Ausgangsmaterialien horizontal in den Reaktor strömen, liefert die AIX G5 WW ausgezeichnete Homogenität. Demzufolge ermöglicht die Anlage eine sehr präzise Kontrolle der Schichtdicken- und Dotierstoffhomogenität bei sehr niedriger Defektdichte des Siliziumkarbids und wird damit den hohen Produktionsanforderungen gerecht.
Siliziumkarbid-Leistungsbauelemente eignen sich insbesondere für energieeffiziente Elektroniksysteme. SiC-Transistoren und -Dioden mit einer Spannung zwischen 600 und 3 kV (Kilovolt) werden in Energieversorgungssystemen genutzt und in Gleichspannungswandlern, Wechselrichtern für die Solarindustrie sowie in Leistungsmodulen von Traktionsanwendungen verwendet.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
Alan Tai
Taiwan/Singapore
Christof Sommerhalter
USA
Christian Geng
Europe
Hisatoshi Hagiwara
Japan
Nam Kyu Lee
South Korea
Wei (William) Song
China
AIXTRON SE (Headquarters)
AIXTRON 24/7 Technical Support Line
AIXTRON Europe
AIXTRON Ltd (UK)
AIXTRON K.K. (Japan)
AIXTRON Korea Co., Ltd.
AIXTRON Taiwan Co., Ltd. (Main Office)
AIXTRON Inc. (USA)
Laura Preinich
Recruiter
Tom Lankes
Talent Acquisition Expert - Ausbildungsleitung
Christoph Pütz
Senior Manager ESG & Sustainability
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
Ralf Penner
Senior IR Manager
Prof. Dr. Michael Heuken
Vice President Advanced Technologies
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications