Plessey setzt auf AIX G5+ C MOCVD-Anlage für Produktion monolithischer GaN-auf-Si-Mikro-LED Display-Innovation

AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, hat von Plessey Semiconductors einen Auftrag über einen AIX G5+ C Planetary Reactor® erhalten. Die MOCVD-Anlage (MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition) wird Plessey‘s Produktionskapazität für Galliumnitrid-auf-Silizium-Wafer (GaN-on-Si) für zukunftsweisende Mikro-LED-Anwendungen weiter erhöhen.

Mit einem automatischen Cassette-to-Cassette (C2C)-Wafer-Transfermodul wird die neue AIXTRON-Anlage im ersten Quartal 2019 in der 25.000 m² großen Produktionsstätte von Plessey in Plymouth (Großbritannien) installiert und in Betrieb genommen. Die AIX G5+ C MOCVD-Anlage besitzt für die Prozesskammer optional zwei verschiedene Einstellungsmöglichkeiten, die GaN-on-Si-Wafer-Konfigurationen von 8x6-Zoll und 5x8-Zoll ermöglichen. Dabei können die Wafer in einer geschlossenen Kassettenumgebung automatisch geladen und entnommen werden. Die Anlage wird eine Ergänzung zu den bestehenden MOCVD-Reaktoren des Unternehmens sein, die ebenfalls von AIXTRON stammen und über Konfigurationen von 7x6-Zoll oder 3x8-Zoll – bei manueller Beladung - verfügen.

Die Produktivität des neuen Reaktors wird durch die automatisierte Selbstreinigungstechnologie weiter erhöht, da dadurch die Anzahl von Defekten auf dem Wafer deutlich verringert wird und die Reinheit des Reaktors bei jedem Durchlauf sichergestellt ist. Zudem werden dadurch die Standzeiten für Wartungsarbeiten erheblich reduziert. Die neue Anlage bietet außerdem schnellere Aufheiz -und Abkühlraten sowie eine hohe Suszeptor-Entladetemperatur, was die Dauer der Prozesszyklen weiter verkürzt.

Die AIX G5+ C wird Plesseys umfangreichen Produktionsplan unterstützen, um die F&E-Kapazität seiner monolithischen Mikro-LEDs auf Basis seiner proprietären GaN-on-Si-Technologie zu erhöhen. Die Mikro-LEDs von Plessey bieten extrem niedrigen Stromverbrauch, hohe Helligkeit und sehr hohe Pixeldichte. Diese Technologie hat in vielen bestehenden Anwendungsbereichen, in denen aktuell herkömmliche Displaytechnologien wie LCD und OLED verwendet werden, das Potenzial für disruptive Veränderungen.

Ziel von Plessey ist es, weltweit führend in der Entwicklung innovativer Beleuchtungen für Bildprozessoren und vollflächig emittierende Mikro-LED-Displays zu werden. Die komplexen Geräte kombinieren sehr dichte RGB-Pixelanordnungen mit leistungsstarken CMOS-Backplanes, um sehr helle, stromsparende und hochauflösende Bildquellen für Head-Mounted-Displays und tragbare elektronische Geräte für Augmented Reality und Virtual Reality-Systeme zu erzeugen.

Mike Snaith, Chief Operating Officer bei Plessey, sagt: „Unsere fortgesetzte und geschätzte Beziehung zu AIXTRON ermöglicht es Plessey, seine monolithischen Mikro-LEDs schnell auf den Markt zu bringen. Um dies zu erreichen kombiniert unsere jüngste Anschaffung der AIX G5+ C Planetenanlage eine hervorragende Homogenität der Waferoberfläche mit einer exzellenten Wiederholbarkeit (run-to-run) bei niedrigsten Betriebskosten – Aspekte, die für eine effiziente Massenproduktion von GaN-on-Si-Mikro-LED-Displays entscheidend sind.“

Dr. Frank Schulte, Vice President AIXTRON Europe, sagte: „Wir sind zuversichtlich, dass die AIX G5+ C die Anforderungen von Plessey bestmöglich erfüllen wird, um den sehr strengen Vorgaben für die Mikro-LED-Produktion zu entsprechen. Die Anlage bietet produktivere Konfigurationen und erfüllt gleichzeitig die härtesten Anforderungen der Siliziumindustrie in Bezug auf Homogenität und Partikel.“

Bei der Bewältigung aller Herausforderungen in Verbindung mit der Herstellung von Mikro-LEDs, einschließlich hochvolumiger und kostengünstiger Produktionsmöglichkeiten, arbeitet Plessey aktiv mit potenziellen Kunden zusammen, um seine hochmoderne, produktionsreife Mikro-LED-Technologieplattform zu nutzen.

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Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®