EpiWorld beschleunigt Vermarktung von SiC-Bauelementen mit neuer AIXTRON-Anlage

Herzogenrath, 07. November 2019 – AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab heute bekannt, dass das Unternehmen eine AIX G5 WW C-Anlage zur Weiterentwicklung von epitaktischen Siliziumkarbid-(SiC)-Wafern der nächsten Generation an die EpiWorld International Co. Ltd. geliefert hat. Die Anlage soll hauptsächlich für die Herstellung von Leistungsbauelementen zur Anwendung in der Automobilindustrie verwendet werden. Die Auslieferung und Installation der für die Serienproduktion bestimmten AIXTRON-Anlage in den Reinräumen von EpiWorld in Xiamen, China, erfolgte in Q3/2019.

Die MOCVD-Anlage AIX G5 WW basiert auf AIXTRONs produktionserprobter, vollautomatisierter Planetenreaktor®-Plattform und verfügt sowohl über die größte Kapazität als auch den höchsten Durchsatz in der Branche. Das System bietet flexible 6- oder 4-Zoll-Konfigurationen, wobei das Anlagendesign darauf abzielt, die Produktionskosten auf ein Minimum zu reduzieren und gleichzeitig eine hervorragende Produktionsqualität zu gewährleisten.

EpiWorld ist bestrebt, seine Produktionskapazität weiter auszubauen, um der steigenden Nachfrage durch Kunden gerecht zu werden. Als führender chinesischer Hersteller hat das Unternehmen bereits Produktionslinien für 3-, 4- und 6-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer zur Herstellung von 600V-, 1.200V- und 1.700V-Leistungsbauelementen aufgebaut.

„In den letzten Jahren wurden wir als führender Anbieter von Epitaxie-Wafern aus Siliziumkarbid von Bauelemente-Herstellern, die vor allem für die Automobilindustrie und andere Branchen produzieren, qualifiziert. Daher verfügen wir über eine starke Präsenz in einer sehr anspruchsvollen Branche. Bisher arbeiten wir weltweit für über 100 Kunden. Mit der neuen Anlage steigt unsere jährliche Produktionskapazität bis 2019 auf 60.000 Wafer. Die kürzlich abgeschlossene erste Erweiterungsstufe unseres neuen 18.000 Quadratmeter großen Standorts soll Produktionsspielraum für eine Jahreskapazität von bis zu 400.000 Wafern bieten. Da sowohl wir wie auch unsere Kunden hohe Qualitätsstandards haben, verlassen wir uns auf Branchenführer wie AIXTRON und ihre bewährte Anlagentechnologie, um diese Anforderungen angemessen zu erfüllen. Wir freuen uns darauf, die Großserienproduktion unserer Epitaxie-Wafer aus Siliziumkarbid mit der AIX G5 WW C zu starten“, sagt Dr. Gan Feng, General Manager von EpiWorld.

Dr. Felix Grawert, Vorstand der AIXTRON SE, kommentiert: „Wir freuen uns, mit einem der führenden Produzenten von Epitaxie-Wafern zusammenzuarbeiten, um die weitere Vermarktung von Siliziumkarbid zu beschleunigen. Siliziumkarbid wird die Entwicklung zahlreicher High-End-Anwendungen in der Leistungselektronik unterstützen, so dass wir Megatrends wie E-Mobilität oder erneuerbare Energien den Weg bereiten.“

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Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®